Bir mühendislik öğrencisi veya mühendisseniz, muhtemelen transistörleri ve modern elektronikte ne kadar önemli olduklarını biliyorsunuzdur.
Ancak, temel önyargının bu cihazların ne kadar iyi çalıştığı konusunda ne kadar önemli olduğunu hiç düşündünüz mü? Temel önyargı, bir transistörün çoğunluk taşıyıcı kontağına uygulanan doğrudan voltajdır.
Cihaz üzerinden akım akışını kontrol etmek için gereklidir.
Doğru baz önyargısı olmadan, bir transistör düzgün çalışamaz, bu da garip davranışlara ve hatta arızaya yol açabilir.
Bu blog gönderisinde, temel önyargının ne olduğundan ve transistörlerin çalışma şekli için neden bu kadar önemli olduğundan bahsedeceğim.
İster deneyimli bir mühendis olun, ister elektronik alanında yeni başlıyor olun, başarılı olmak için temel önyargıyı anlamanız gerekir.
Öyleyse, temel önyargının büyüleyici dünyasını derinlemesine inceleyelim ve birlikte öğrenelim.
Baz Sapmasını ve Transistörlerdeki İşlevini Anlamak
Resmi tanımlama:
Bir transistörün çoğunluk taşıyıcı kontağına (taban) uygulanan doğrudan voltaj.
Temel Önyargı Yöntemi
Bir transistör devresinde iki kutuplu bağlantı transistörünün (BJT) polarlanması basit ve temel bias ile yapılması kolaydır.
Bu yöntem, doğru temel voltajın, VBB'nin tabana gönderilmesini sağlar, ardından baz, açılabilmesi için BJT'ye doğru temel akımı gönderir.
Bir "sabit tabanlı öngerilim devresinde", taban ile bir temel pil VBB arasına bir temel öngerilim direnci RB bağlanır.
Bu, transistörün temel akımının verilen VCC değerleri için aynı kalmasını sağlar.
Sıfır Sinyal Taban Akımı Elde Etme Yöntemleri
Kollektörden tabana polarlama, kollektör geri besleme direnci ile polarizasyon veya voltaj bölücü ile polarizasyon gibi ihtiyaç duyulan sıfır sinyal taban akımı IB'yi elde etmenin birkaç yolu vardır.
Bu devrenin lineer bölgesine bakıldığında DC'nin doğrudan etki ettiği görülmektedir.
Kirchhoff'un voltaj yasasını temel devreye uygulayarak, IB ve VBB arasındaki ilişkiyi gösteren bir denklem elde edebiliriz.
VBB ve RB'yi biliyorsanız, IB'yi bulmak için bu denklemi kullanabilirsiniz.
Önyargı Direncinin Amacı
Önyargı direnci, BJT transistörünün aşırı yüklenmemesi veya kapanmaması için tabana yeterli akımın akmasını sağlar.
Önyargı direnci, transistörü belirli bir çalışma noktasında veya DC ofsetinde tutar.
Bazı BJT'ler, bir tasarımdaki parça sayısını azaltmak için dahili bir öngerilim direncine sahiptir, ancak BJT'leri açıp kapatmak için harici öngerilim dirençlerine ihtiyaç vardır.
Önyargı dirençli dahili transistör (BRT), hem temel rezistansa hem de dahili baz yayıcı dirence sahip iki kutuplu bir transistördür.
Transistörün içine yerleştirilmiş bu dirençlerle, BRT'ler ihtiyaç duyulan harici parça sayısını azaltır ve ayrık devrelerin kurulmasını kolaylaştırır.
Transistör Eğilimi
Transistör polarlaması, transistöre bir DC voltajı verme işlemidir, böylece yayıcı-taban bağlantısı ileri yönlü ve toplayıcı-taban bağlantısı geriye doğru eğilimlidir.
Bu, transistörü bir amplifikatör olarak çalışabilmesi için aktif bölgesinde tutar.
Kuplaj ve baypas kapasitörlerini doğru şekilde kullanmak, herhangi bir öngerilim akımının transistörün tabanına girip çıkmasını durdurmaya yardımcı olacaktır.
Bir transistörün polarlanması, hem analog hem de dijital yollarla çalışmasına izin verir.
Önyargı olmadan, BJT amplifikatörleri yük terminallerine doğru miktarda güç gönderemez.
Ağırlıklandırmanın Amplifikatör Performansı Üzerindeki Etkisi
Tabanın nasıl kurulduğu, bir transistör amplifikatörünün ne kadar iyi çalıştığını etkiler.
"A Sınıfı sapma", çalışma noktası transistörün karakteristik eğrisinin düz kısmının ortasında olacak şekilde bir amplifikatör kurma işlemidir.
A Sınıfı amplifikatörler, transistörün baz yayıcı bağlantısına bir DC gerilimi koyarak, sinyalsiz (hareketsiz) çalışma noktaları transistörün davranışının doğrusal bir parçası üzerinde olacak şekilde önyargılıdır.
Bir transistörün ön gerilimi için en iyi değer, tepe AC çıkış geriliminin iki katıdır.
Bir transistörün ön gerilimini değiştirirseniz, Q noktası da hareket edecektir.
Elektronik Cihazlarınızda Devrim Yapın: Temel Eğilimin Gücünden Yararlanın
Hala anlamak zor mu? Biraz bakış açısını değiştirelim:
Tuhaf davrandıkları ve düzgün çalışmadıkları için sürekli olarak kırılan transistörlerinizden bıktınız mı? Temel önyargının gücünün ne kadar şaşırtıcı olduğuna bir bakın.
Evet, transistörünüzün çoğunluk-taşıyıcı kontağına doğrudan voltaj vermek sorunsuz, güvenilir çalışma ile ateşli bir erime arasındaki farkı yaratabilir.
Öyleyse neden tedbiri bırakıp temel önyargının vahşi dünyasına atlanmıyorsunuz?
Tamam, bu sadece bir TV reklamı gibi görünmek için yapılmış bir şakaydı.
Şimdi açıklamaya geri dönelim.
Temel Sapmayı Etkileyen Faktörler
Temel Önyargı Üzerinde Sıcaklık Etkileri
Sıcaklık, temel yayıcı voltajını (VBE) ve toplayıcı tabanı tersini, doyma akımını değiştirir.
Bu, bir temel önyargı devresinin (ICBO) Q noktasını değiştirir.
Sıcaklık arttıkça VBE 2,5 mV/ oranında düşerken ICBO yükselir.
Bu, IC'yi değişmeye zorlayan ve devrenin Q noktasını hareket ettiren taban akımı IB'nin yükselmesini sağlar.
Termal kaçak oluşmasını önlemek için, önyargının hFE yayılmasına karşı kararlı olduğundan emin olmak için adımlar atılmalıdır.
Taban yanlılığı ve toplayıcı-taban yanlılığı, VBE'deki değişikliklerden gerilim bölücü yanlılığına göre daha az etkilenir.
Bu, farklı sıcaklıklarda kararlı olması gereken devreler için taban yanlılığını ve toplayıcıdan tabana yanlılığı daha iyi seçenekler haline getirir.
Bipolar transistörün Q noktası, çalışma aralığının ortasına yakın olduğunda, sıcaklıktaki değişikliklerden daha az etkilenir.
Baz Direnç Geriliminin Hesaplanması
Ohm kanunu ve Kirchhoff'un voltaj kanunu, sabit tabanlı önyargılı bir devrede baz direncinin voltajının ne olduğunu bulmak için kullanılır.
Bir transistörü polarlamanın en kolay yolu, sabit tabanlı bir bias devresidir.
Bu devrede, transistör çalışırken baz gerilimi aynı kalır.
Bu devreyi kurmak için, baz ile baz batarya VBB veya başka bir sabit voltaj kaynağı arasına bir baz öngerilim direnci bağlarsınız.
Bir =100 transistörümüz varsa ve 1mA'lık bir yayıcı akımı elde etmek istiyorsak, temel öngerilim direncinin ne kadar büyük olması gerektiğini bulmak için Ohm yasasını ve Kirchhoff'un voltaj yasasını kullanabiliriz.
İlk olarak, VBB'nin ne olduğunu bulmalıyız.
Kirchhoff'un voltaj yasasını kullanarak VCC = IB * RB + VBE yazabiliriz.
IB kabaca IE/'ye eşit olduğundan, burada IE yayıcı akımıdır, transistörün DC kazancıdır ve VBE silikon transistörler için yaklaşık 0,7V'dir, şunu yazabiliriz: VBB = VCC - (IE/)*RB - 0,7 V.
RB = (VCC - VBB - 0.7V)/(IE/), RB için çözdüğünüzde elde ettiğiniz şeydir.
Omni Calculator tarafından Transistor Biasing Calculator gibi çevrimiçi hesaplayıcıları da kullanabilirsiniz.
Bu hesap makinesi yalnızca iki kutuplu bağlantı transistörleri (BJT) ile çalışır ve sabit tabanlı öngerilimli öngerilim, toplayıcı geri beslemeli öngerilimli, yayıcı geri beslemeli öngerilimli ve voltaj bölücü öngerilimli gibi farklı sapmayı ayarlama yolları sunar.
Bu hesaplayıcıyı sabit tabanlı yönlendirme yöntemi için kullanmak üzere, besleme voltajı (VCC), istenen kollektör akımı (IC), DC kazancı () ve doyma voltajı (VCEsat) gibi bilinen değerleri girebilirsiniz.
Hesap makinesi size emitör akımı (IE), kollektör direnci (RC), emitör direnci (RE) ve taban direnci (RB) gibi sonuçlar verecektir.
Bir Transistör İçin Önyargı Sağlama Yöntemleri
Bir transistöre bir önyargı vermenin birçok farklı yolu vardır.
Aralarında:
- Base Bias ya da "Fixed Current Bias" çok iyi bir yöntem değildir çünkü transistör çalışırken bias gerilimleri ve akımları aynı kalmaz.
- Verici Geri Beslemeli Temel Sapma: Bu yöntem, sıcaklık değiştikçe direnç değişse bile dc çalışma noktasını sabit tutar.
- Toplayıcı Geri Beslemeli Temel Sapma: Bu yöntemin adı, RB'nin toplayıcıya dayalı olması nedeniyle, onu tek başına temel önyargıdan daha kararlı kılan negatif bir geri besleme etkisinin bulunmasından gelir.
- Collector-to-Base Bias: Bu yöntemde, transistörün toplayıcısı ile tabanı arasına bir ön gerilim konur.
Bu yöntem kararlı bir öngerilim gerilimi verir ve sıcaklıkta kararlılığa ihtiyaç duyan devrelerde kullanılabilir.
- Gerilim Bölücü Önyargısı: Bu yöntemde, taban gerilimi, iki dirençten oluşan bir gerilim bölücü ağı ile ayarlanır.
Base Bias için Gelişmiş Teknikler
Baz yanlılığı, bipolar transistörlerin amplifikasyon için gerekli olan lineer bölgelerinde çalışmasını sağlamanın önemli bir yoludur.
Ancak baz öngerilim devreleri, sıcaklık ve transistör parametrelerindeki değişikliklere duyarlıdır ve bu da toplayıcı akımında tahmin edilmesi zor değişikliklere neden olabilir.
Temel önyargıyı daha iyi hale getirmek için, insanlar onu daha istikrarlı ve öngörülebilir hale getirmenin başka yollarını bulmuşlardır.
Bu makalede, sinyalleri karıştırmak ve çoğaltmak için emitör-geribildirim biası, emitör biası, voltaj bölücü biası ve ortak baz biası gibi temel bias için gelişmiş tekniklerden bahsedeceğiz.
Verici-Geri Bildirim Önyargısı
Yayıcı-geri bildirim önyargısı, toplayıcı akımını sabit tutmak için hem yayıcı geri bildirimini hem de temel toplayıcı geri bildirimini kullanan bir transistör kurmanın bir yoludur.
Bu yöntemde, temel öngerilim devresine bir emitör direnci eklenir.
Bu, baz voltajındaki bir değişikliğin neden olduğu kollektör akımındaki herhangi bir değişikliği iptal eden negatif geri besleme oluşturarak baz yanlılığını daha öngörülebilir hale getirir.
Verici-geribildirim yanlılığı, temel yanlılıktan daha iyidir çünkü temel yanlılığı daha kararlı ve sıcaklıktaki ve transistörün parametrelerindeki değişikliklere karşı daha az duyarlı hale getirir.
Bu yöntem, yayıcı direncinden gelen negatif geri beslemeyi kullanarak bunu yapar ve bu değişiklikleri daha az fark edilir hale getirir.
Verici Önyargısı
Verici önyargısı, sıcaklık değiştiğinde bile çok kararlıdır ve hem pozitif hem de negatif besleme voltajı kullanır.
Ortak bir yayıcı BJT transistörde, emitör toprağa bağlıdır, bu nedenle giriş voltajı toprağa (yayıcı) göre tabanda ölçülür ve çıkış voltajı toprağa (toplayıcı) göre kollektörde ölçülür ( verici).
Verici polarizasyonu, transistörün tabanının her zaman doğru polariteye sahip olduğundan emin olarak bir amplifikatörün aktif bölgesinin Q noktasını daha kararlı hale getirebilir.
Temel önyargıdan daha iyidir çünkü önyargıyı sabit tutar.
Gerilim Bölücü Önyargısı
Temel öngerilim devresi, voltaj bölücü öngerilim devresinden daha az kararlıdır.
Kollektör gerilimi ile ilgisi olmayan taban gerilimi, bu devrede gerilim bölücü şebeke tarafından ayarlanır.
Bu, kollektör voltajındaki ve transistörün parametrelerindeki değişikliklerin öngerilim noktası üzerinde daha az etkiye sahip olmasını sağlar.
Çoğu zaman, bir voltaj bölücünün çıkış empedansı, bir temel öngerilim devresininkinden çok daha yüksektir.
Bu, voltaj bölücüyü daha kararlı hale getirir.
Temel Önyargı
Temel öngerilim devrelerinin yapılması daha kolaydır ve voltaj bölücü öngerilim devrelerinden daha az parçaya sahiptir, ancak daha az kararlıdırlar.
Temel öngerilim voltajı doğrudan kollektör voltajına bağlıdır.
Transistörün kollektör voltajı veya parametreleri değişirse, temel öngerilim voltajı da değişerek devreyi kararsız hale getirir.
Sinyal Karıştırma ve Çarpma için Ortak Temel Önyargı
Sinyalleri ortak bir temel devrede karıştırmak ve çoğaltmak için diyot gibi doğrusal olmayan bir elemana veya transistör veya FET gibi aktif bir cihaza doğru miktarda öngerilim verilir.
Bu, doğrusal olmayan bir öğe aracılığıyla iki sinyal gönderildiğinde gerçekleşir.
Orijinal sinyallerin toplam ve fark frekanslarında, yeni frekanslarda iki yeni sinyal yapılır.
Baypas kondansatörü ile yayıcı öngerilim konfigürasyonu kullanmak, karıştırma ve çoğaltma için ortak bir temel devre kurmanın bir yoludur.
Bunu yapmanın başka bir yolu, baypas kapasitörlü bir voltaj bölücü öngerilim konfigürasyonudur.
Kısacası, temel sapma, yeni tekniklerin kullanılmasıyla daha istikrarlı ve öngörülebilir hale getirildi.
Sıcaklık ve transistör parametreleri değiştiğinde bile emitör-geribildirim biası ve emitör biası biası çok sabit tutar.
Temel önyargı, voltaj bölücü önyargıdan daha az kararlıdır ve temel önyargı, sinyalleri karıştırmak ve çoğaltmak için kullanılır.
Baz-Kollektör Bağlantısı ve Baz-Emiter Gerilim Düşümü
Bipolar bağlantı transistöründe, taban ile toplayıcı arasındaki bağlantı her zaman ters kutupludur.
Bu, bağlantı noktasına kırılmadan önce yüksek bir ters ön gerilim uygulanabileceği anlamına gelir.
Ters öngerilim voltajı, tabandaki azınlık taşıyıcıları için ileri bir öngerilim görevi görür ve onları taban-toplayıcı bağlantı noktasından toplayıcı bölgeye doğru hızlandırır.
Hem yayıcı-taban hem de kollektör-taban bağlantıları ileriye dönük olduğunda, akım yayıcıdan toplayıcıya akar.
Bu, transistörün işini yapmasına izin verir.
Doygunluk adı verilen bu durumda, her iki bağlantı noktası da ileriye doğru bastırılır ve taban ile yayıcı arasındaki voltaj, silikon transistörler için en az 0,7 V veya germanyum transistörler için 0,3 V'tur.
Baz Verici Bağlantı Eğilimi
Baz verici-taban bağlantısındaki ileri öngerilim voltajı düşüşü, bir transistörün emitör-taban bağlantısındaki bariyeri düşürerek nasıl çalıştığını etkiler.
Bu, toplayıcıya daha fazla taşıyıcının ulaşmasını sağlar ve yayıcıdan toplayıcıya ve dış devre boyunca akım akışını artırır.
Bir transistörün yükselteç olarak çalışması için, eklemlerinin her birinin transistörün dışından gelen bir voltajla değiştirilmesi gerekir.
Verici ile taban arasındaki ilk PN bağlantısı ileri yönde eğimlidir.
Taban ile toplayıcı arasında bulunan ikinci PN bağlantısı, ters yönde eğimlidir.
Bir transistörü açmak için, tabandan yayıcıya (VBE) ileri voltaj düşüşü sıfırdan büyük, genellikle 0,6V civarında olmalıdır.
Bir transistörün çalışması için, baz yayıcı diyotun ileri doğru bastırılması gerekir.
VBE 0.6V'tan yüksek olduğunda, transistörler aktif modda çalışır ve sinyalleri yükseltir.
Öte yandan, VBE 0,6V'tan düşük olduğunda, transistörler "kesme modu" adı verilen ve içlerinden akım geçmeyen bir durumdadır.
Bir transistörün ters aktif modda olması için, yayıcıdaki voltajın, kollektördeki voltajdan daha yüksek olması gereken tabandaki voltajdan daha yüksek olması gerekir.
Temel Ağırlıklandırma Teknikleri
Yayıcı-geribildirim yanlılığı ve voltaj bölücü yanlılığı gibi farklı baz yanlılık yöntemleri, toplayıcı akımını stabilize etmek ve tahmin etmeyi kolaylaştırmak için kullanılabilir.
Kollektör akımı, hem emitör hem de temel toplayıcı geri beslemesi kullanılarak emitör-geribildirim önyargısıyla sabit tutulur.
Base-bias devresine bir emitör direnci eklendiğinde, sıcaklıktaki ve transistörün parametrelerindeki değişikliklerin etkisi azaltılır.
Bu, emitör-geribildirim yanlılığını tek başına temel yanlılıktan daha kararlı hale getirir.
Voltaj bölücü öngerilimi, toplayıcı geriliminden bağımsız olan ve yüksek öngerilim kararlılığı sağlayan taban gerilimini ayarlamak için bir gerilim bölücü ağı kullanır.
Bu kurulum, sorunlara yol açabilecek ikinci bir güç kaynağı kullanmadığından temel polarizasyondan daha kararlıdır.
Bir transistörün akım kazancı e, kollektör akımının taban akımına bölünmesine eşittir.
Bu, az miktarda bir baz akımın, bir transistörün nasıl çalıştığının temeli olan çok daha büyük bir kollektör akımını kontrol edebileceği anlamına gelir.
Bir kollektör akımının akması için, transistörün üç parçasının da ileri yönlü olması gerekir.
Bu, iletimin gerçekleşmesi için tabana bir akımın sürülmesi gerektiği anlamına gelir.
Bir transistörün toplayıcı akımı, öngerilim voltajı yükseldiğinde yükselir.
Taban-Kollektör Voltaj Sınırlamaları
Yayıcı öngerilimi çalışmayı durdurmadan önce baz toplayıcı voltajının ne kadar yükseğe çıkabileceği, kullanılan transistöre ve özelliklerine bağlıdır.
Çoğu zaman, üretici bir transistör için maksimum baz kollektör voltajı (Vbc) derecesini listeler.
Bu derecelendirme birkaç volttan birkaç yüz volta kadar herhangi bir yerde olabilir.
Taban ve toplayıcı arasındaki voltaj maksimum değerin üzerine çıktığında, transistör bozulabilir ve muhtemelen kalıcı olarak hasar görebilir.
Ancak, baz kollektör voltajı maksimum değerden yüksek olsa bile emitör önyargısı, transistörün güvenli çalışma aralığında çalışmaya devam edebilir.
Temel Sapmanın Hesaplanması ve Analizi
Temel Eğilimde Yük Direncinin Hesaplanması
Bir BJT temel direnç öngerilim devresinde, yük direnci, RL = (V CC - V BE) / IE formülü kullanılarak hesaplanabilir; burada V CC, güç kaynağından gelen voltajdır, V BE, baz yayıcı üzerindeki voltajdır bağlantı ve IE verici akımıdır.
Bu formül, belirli bir miktarda emitör akımı için kaç tane öngerilim direncinin gerekli olduğunu anlamaya yardımcı olur.
Voltaj Bölücü Önyargı Konfigürasyonu
Thevenin Teoremini kullanarak, bir voltaj bölücü için öngerilim konfigürasyonunu bulabilirsiniz.
Bu yöntemde, bir güç kaynağı ile toprak arasına iki direnç seri bağlanır ve bir direnç transistörün tabanına bağlanır.
Bu kurulumda, yük direnci genellikle devrenin bir sonraki kısmı veya bir akım kaynağıdır.
Önyargı dirençleri, R1 = (V CC - V BE) * R2 / V BE formülü kullanılarak hesaplanabilir; burada R1, taban ile voltaj bölücü arasındaki dirençtir, R2 voltaj bölücüdeki diğer dirençtir ve V BE baz emitör bağlantısının karşısındaki voltajdır (genellikle bir silikon transistör için yaklaşık 0,6-0,7 V).
Toplayıcı Geri Besleme Önyargı Yapılandırması
Toplayıcı geri besleme öngerilim konfigürasyonunda, bir transistörün toplayıcısı ile tabanı arasına bir direnç koyarak bir emitör akımı ayarlanır.
Bu yol geri bildirim verir ve sapma noktasını sabit tutar.
Ohm Yasası, yük direncini bulmak için kullanılabilir ve kollektör direncindeki voltaj düşüşü, kollektör voltajını bulmak için kullanılabilir.
Bir BJT devresini yönlendirmenin başka yolları olduğunu ve seçeceğiniz yöntemin devrenin neye ihtiyacı olduğuna bağlı olacağını unutmayın.
Toplayıcı Geri Besleme Önyargı Devresi
İpucu: Gerekirse altyazı düğmesini açın. Konuşulan dile aşina değilseniz, ayarlar düğmesinde "otomatik çeviri"yi seçin. En sevdiğiniz dil çeviri için uygun hale gelmeden önce videonun diline tıklamanız gerekebilir.
Kullanım örnekleri
| Kullanılan: | Tanım: |
|---|---|
| Amplifikatörler: | Amplifikatör devrelerinde, transistörün çalıştığı seviye olan Q noktasını ayarlamak için baz yanlılığı kullanılır. Öngerilim voltajını değiştirerek, mühendisler amplifikasyon faktörünü kontrol edebilir ve çıkan sinyalin istedikleri aralıkta kalmasını sağlayabilirler. |
| Açma ve kapatma: | Elektrik sinyallerini açıp kapamak için transistörlerin kullanıldığı anahtarlama devrelerinde baz polarması da çok önemlidir. Bu durumda ön gerilim, transistörü açmak için gereken eşik gerilimini kontrol eder. Bu, devrenin açık ve kapalı olma arasında geçiş yapmasını sağlar. |
| Güç kaynakları: | Güç kaynağı devrelerinde, çıkış voltajının sabit ve doğru aralıkta kalmasını sağlamak için temel öngerilim kullanılır. Öngerilim voltajını belirli bir seviyeye ayarlayarak, mühendisler cihazdan ne kadar akım geçtiğini kontrol edebilir ve voltajın yukarı ve aşağı gitmesini durdurabilir. |
| Osilatörler: | Osilatör devrelerinde, cihazın frekansını doğru seviyede tutmak için taban gerilimi kullanılır. Mühendisler, öngerilim voltajını değiştirerek osilatörün sabit bir dalga formu oluşturduğundan emin olabilirler. |
| Sensör devreleri: | Voltaj veya akımdaki değişiklikleri algılamak için transistörlerin kullanıldığı sensör devrelerinde, baz yanlılığı da kullanılabilir. Mühendisler, önyargı voltajını belirli bir seviyeye ayarlayarak sensörün ne kadar hassas ve doğru olduğunu kontrol edebilirler. Bu, sensörün giriş sinyalindeki küçük değişiklikleri bile algılamasını sağlar. |
Çözüm
Sonunda, temel önyargı, bir transistörün nasıl çalıştığının göz ardı edilemeyecek önemli bir parçasıdır.
Uygun taban polarizasyonu, akım akışını kontrol ettiği ve cihazı sabit tuttuğu için güvenilir performans için önemlidir.
Ancak, genel olarak elektronik için temel önyargının ne anlama geldiğini düşünmek de önemlidir.
Dünyamız teknolojiye giderek daha fazla bağımlı hale geldikçe, çevre ve topluluklarımız üzerindeki etkilerini minimumda tutmak için bu cihazları nasıl tasarladığımızı ve kullandığımızı dikkatlice düşünmemiz gerekiyor.
Temel önyargı fikirlerini tasarım ve üretim süreçlerimizde kullanarak, yalnızca yararlı değil, aynı zamanda çevre dostu ve toplum için iyi olan elektronik ürünler yapabiliriz.
Mühendisler ve teknoloji uzmanları olarak, işimizin herkesi nasıl etkilediğini düşünmek bizim işimiz ve temel önyargı bunun sadece küçük bir parçası.
O halde, büyük resmi göz önünde bulundurarak mümkün olanın sınırlarını zorlamaya devam edelim.
Bağlantılar ve referanslar
Transistör Biasing ve Çıkış Bias Gerilimleri:
https://resources.pcb.cadence.com/blog/2020-transistor-biasing-and-output-bias-voltages
Bipolar transistör polarizasyonu:
https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_transistor_biasing
Katı Hal Cihazları Ders 18:
https://engineering.purdue.edu/~ee606/downloads/ECE606_f12_Lecture18.pdf
Paylaş…
